

▪ Ein hoher Umwandlungswirkungsgrad führt zu einer hervorragenden Ausgangsleistung
▪ Hervorragende Ausgangsleistung auch bei schwachem Licht oder hohen Temperaturen
▪ Optimiertes Design für einfaches Löten und Schichten
▪ Langzeitstabilität und zuverlässige Leistung
▪ Geringe Bruchrate
▪ Einheitliche Farben






| Produkt | Wafer | 
| Material | Silizium | 
| Kristallwachstumsmethode | CZ-Straight-Pull-Methode | 
| Leitfähigkeitstyp | N-Typ | 
| Widerstand | 0,3-2,1 Ohm/cm2 | 
| Lebensdauer der Minderheitsträger | ≥800μs | 
| interstitieller Sauerstoffgehalt | ≤13ptma | 
| Ersatzkohlenstoffgehalt | ≤1ptma | 
| Wafertyp | Einkristall | 
| Wafergröße | 182*182±0,3mm | 
| Fasenlänge | 245,6 ± 0,3 mm | 
| Winkel | 90 ± 0,2° | 
| Batteriedicke | 140 μm ± 14 μm | 

| LSC-Temperaturkoeffizient α (%/K) | +0,07 | 
| VOC-Temperaturkoeffizient β(%/K°) | -0,36 | 
| Pmax Temperaturkoeffizient v (%/K°) | -0,38 | 
Nominale Testbedingungen für IV-Parameter sind Standardtestbedingungen (Einstrahlung 10,0 Wm7, AM 15, Zelltemperatur 25'°C) Alle Messungen werden an Laminatleitungen garantiert. NOCT misst die Windgeschwindigkeit bei 800 W/m², 20 °C Umgebungstemperatur und 1 m/s. Die Spezifikationen können ohne Vorankündigung geändert werden.
JS Solar behält sich das Recht der endgültigen Auslegung und Überarbeitung dieses Datenblattes vor.
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